H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix и K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,74 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Корпус | FBGA-96 | 78-FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Статус RoHS | — | Compliant |