H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WB-BIWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-UHC 제조: SK hynix 및 K4A8G085WB-BIWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.74 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| 데이터 속도 | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| 패키지 | FBGA-96 | 78-FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |