H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NDJR-XNC von SK hynix und K4A8G085WC-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $55,68 | $6,29 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| Gehäuse | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstelle | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS-Latenz | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS-Status | — | Compliant |