H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix および K4A8G085WC-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $55.68 | $6.29 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| パッケージ | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| 動作温度範囲 | — | -40°C to +95°C |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| インターフェース | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CASレイテンシ | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS ステータス | — | Compliant |