H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix y K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $55,68 | $6,29 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Interfaz | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latencia CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Estado RoHS | — | Compliant |