H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix et K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $55,68 | $6,29 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Interface | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latence CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Statut RoHS | — | Compliant |