H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WC-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix e K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $55,68 | $6,29 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| Encapsulamento | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +95°C |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Interface | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latência CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Status RoHS | — | Compliant |