H5AN8G6NDJR vs IS43QR16512B-062AABL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NDJR von SK hynix und IS43QR16512B-062AABL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NDJR | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $35,00 | $8,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS-Latenz | 22 cycles (at 3200 Mbps) | 22-22-22 |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| tRCD | — | 19 ns |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C (case) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Schnittstelle | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |