H5AN8G6NDJR vs IS43QR16512B-062AABL Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR par SK hynix et IS43QR16512B-062AABL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,00 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | 22-22-22 |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| tRCD | — | 19 ns |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (case) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Interface | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |