H5AN8G6NDJR vs IS43QR16512B-062AABL Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NDJR por SK hynix y IS43QR16512B-062AABL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NDJR | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $35,00 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latencia CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | 22-22-22 |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Características | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| tRCD | — | 19 ns |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (case) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Número de pines | — | 96 |
| Interfaz | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |