H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCR-VKC von SK hynix und H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NAMR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $4,50
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Speicherorganisation 2G x 8 1G x 16
Schnittstelle DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Datenrate [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] —
Gehäuse 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Schnittstellentyp — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Lebenszyklusstatus — Active production

Datenblätter & Ressourcen

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