H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NAMR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $4,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Organisation de la mémoire 2G x 8 1G x 16
Interface DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Débit de données [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] —
Boîtier 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Type d'interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Statut du cycle de vie — Active production

Fiches techniques et ressources

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