H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix e H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $4,50
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Organização da memória 2G x 8 1G x 16
Interface DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Taxa de dados [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] —
Encapsulamento 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Tipo de interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Status do ciclo de vida — Active production

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação