H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix y H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $4,50
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit 16 Gbit (2 GB)
Organización de memoria 2G x 8 1G x 16
Interfaz DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] —
Encapsulado 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Tipo de interfaz — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Estado del ciclo de vida — Active production

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