H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-PBA von SK hynix und H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Aktiv
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H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63AFR-PBI
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,23 $6,50
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Gehäuse 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant —
Halogenfrei Yes —
Lead-Free Yes —
Total Memory Size — 4 Gb
Datenrate — DDR3-1600 (PC3L-12800)
Versorgungsspannung — 1.35 V
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
CAS-Latenz — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +95°C
Montageart — Surface Mount
Number of Terminals — 96
RoHS-Status — Compliant

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