H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63CFR-PBA от SK hynix и H5TC4G63AFR-PBI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63AFR-PBI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,23 $6,50
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Корпус 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant —
Без галогенов Yes —
Lead-Free Yes —
Total Memory Size — 4 Gb
Скорость передачи данных — DDR3-1600 (PC3L-12800)
Напряжение питания — 1.35 V
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
Задержка CAS — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Диапазон рабочих температур — -40°C to +95°C
Тип монтажа — Surface Mount
Number of Terminals — 96
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену