H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-PBA par SK hynix et H5TC4G63AFR-PBI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63CFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,23 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latence CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |