H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63CFR-PBA メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-PBI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ 生産中
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H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

仕様比較

パラメータ H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63AFR-PBI
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.23 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
パッケージ 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant —
ハロゲンフリー Yes —
Lead-Free Yes —
Total Memory Size — 4 Gb
データレート — DDR3-1600 (PC3L-12800)
電源電圧 — 1.35 V
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
CASレイテンシ — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
動作温度範囲 — -40°C to +95°C
実装タイプ — Surface Mount
Number of Terminals — 96
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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