H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-PBA por SK hynix y H5TC4G63AFR-PBI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63CFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Obsolete |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,23 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Velocidad de datos | — | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latencia CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Estado RoHS | — | Compliant |