H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBI 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-PBA 제조: SK hynix 및 H5TC4G63AFR-PBI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63CFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.23 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| 데이터 속도 | — | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| 공급 전압 | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |