H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63CFR-PBL von SK hynix und NT5CC256M16DP-DI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35V |
| Datenrate | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS-Latenz | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Schnittstelle | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |