H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-PBL par SK hynix et NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35V |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Boîtier | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Latence CAS | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Interface | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |