H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-PBL por SK hynix y NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35V |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Latencia CAS | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Interfaz | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |