H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63CFR-PBL por SK hynix e NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35V |
| Taxa de dados | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Latência CAS | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Interface | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |