H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-PBL 제조: SK hynix 및 NT5CC256M16DP-DI 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb (256M x 16) | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35V |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| 패키지 | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS 레이턴시 | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| 인터페이스 | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |