IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S7L180ATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Number of Channels 1 —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 39 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 16.1 mΩ @ VGS=10 V —
Typical RDS(on) 18 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.6 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Input Capacitance (Ciss) 272 pF —
Output Capacitance (Coss) 668 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7 pF —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
RoHS-Status EU RoHS Compliant with Exemption Compliant
Configuration Single Quad Drain Triple Source Dual N-Channel MOSFET Array
Channel Mode Enhancement —
Part Status Active —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction)
Pin-Anzahl — 8
MSL-Level — 1
Packing — Tape & Reel (T&R)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern