IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN10S7L180ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN10S5L280DATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L180ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.58 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Number of Channels 1 —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 39 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 16.1 mΩ @ VGS=10 V —
Typical RDS(on) 18 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.6 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Input Capacitance (Ciss) 272 pF —
Output Capacitance (Coss) 668 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7 pF —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
RoHS ステータス EU RoHS Compliant with Exemption Compliant
Configuration Single Quad Drain Triple Source Dual N-Channel MOSFET Array
Channel Mode Enhancement —
Part Status Active —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
動作温度範囲 — -55C to +175C (junction)
ピン数 — 8
MSLレベル — 1
Packing — Tape & Reel (T&R)

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