IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IAUCN10S7L180ATMA1 por Infineon y IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IAUCN10S7L180ATMA1 - 100V 39A 18mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L180ATMA1 ✓ ActivoInfineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IAUCN10S7L180ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,58 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 39 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 58 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 16.1 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Typical RDS(on) | 18 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.6 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 11 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 272 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 668 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7 pF | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Estado RoHS | EU RoHS Compliant with Exemption | Compliant |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Part Status | Active | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Technology | — | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +175C (junction) |
| Recuento de pines | — | 8 |
| Nivel MSL | — | 1 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |