IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN10S7L180ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN10S5L280DATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.58 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Number of Channels 1 —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 39 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 16.1 mΩ @ VGS=10 V —
Typical RDS(on) 18 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.6 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Input Capacitance (Ciss) 272 pF —
Output Capacitance (Coss) 668 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7 pF —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
RoHS 상태 EU RoHS Compliant with Exemption Compliant
Configuration Single Quad Drain Triple Source Dual N-Channel MOSFET Array
Channel Mode Enhancement —
Part Status Active —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
동작 온도 범위 — -55C to +175C (junction)
핀 수 — 8
MSL 레벨 — 1
Packing — Tape & Reel (T&R)

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