IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7L180ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S7L180ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,58 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 39 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 58 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 16.1 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Typical RDS(on) | 18 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.6 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 11 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 272 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 668 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7 pF | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Statut RoHS | EU RoHS Compliant with Exemption | Compliant |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Part Status | Active | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Technology | — | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |