IPD60R600C6ATMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R600C6ATMA1 von Infineon und IPD600N25N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R600C6ATMA1 IPD600N25N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C6 —
Part Suffix ATMA1 (Tape & Reel) —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology CoolMOS C6 (Superjunction) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 250 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 7.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 600 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C 63 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
Anzahl der Pins 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 —
Part Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Schwellenspannung — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

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