IPD60R600C6ATMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R600C6ATMA1 par Infineon et IPD600N25N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R600C6ATMA1 IPD600N25N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C6 —
Part Suffix ATMA1 (Tape & Reel) —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology CoolMOS C6 (Superjunction) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 250 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 7.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 600 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C 63 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Part Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Tension de seuil de grille — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

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