IPD60R600C6ATMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD60R600C6ATMA1 제조: Infineon 및 IPD600N25N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD60R600C6ATMA1 | IPD600N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.92 | $0.84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C6 | — |
| Part Suffix | ATMA1 (Tape & Reel) | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | CoolMOS C6 (Superjunction) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 250 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 7.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 600 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | 63 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C | — |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (Tape & Reel) |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| Part Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 25 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 60 mOhm at VGS = 10 V |
| 게이트 임계 전압 | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |