IPD60R600C6ATMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R600C6ATMA1 por Infineon e IPD600N25N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R600C6ATMA1 IPD600N25N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C6 —
Part Suffix ATMA1 (Tape & Reel) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology CoolMOS C6 (Superjunction) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 250 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 7.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 600 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C 63 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
Número de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 —
Part Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Tensão de limiar de gate — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

Fichas técnicas e recursos

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