IPD60R600C6ATMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R600C6ATMA1 por Infineon y IPD600N25N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R600C6ATMA1 IPD600N25N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C6 —
Part Suffix ATMA1 (Tape & Reel) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology CoolMOS C6 (Superjunction) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 250 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 7.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 600 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C 63 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
Número de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 —
Part Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Tensión umbral de puerta — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Sin halógenos — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

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