IPG16N10S461AATMA1 vs IPG16N10S4L61AATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG16N10S461AATMA1 von Infineon und IPG16N10S4L61AATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,12
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench Logic-Level, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant —
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — Dual N-Channel (Array)
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 16 A
Power Dissipation (PD) — 29 W
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Betriebstemperatur — -55C to +175C (TJ)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) — MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Peak Reflow Temperature — 260 C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
FET Feature — Logic Level Gate

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