IPG16N10S461AATMA1 vs IPG16N10S4L61AATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG16N10S461AATMA1 por Infineon y IPG16N10S4L61AATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $1,12
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench Logic-Level, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant —
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — Dual N-Channel (Array)
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 16 A
Power Dissipation (PD) — 29 W
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) — MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Peak Reflow Temperature — 260 C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
FET Feature — Logic Level Gate

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