IPG16N10S461AATMA1 vs IPG16N10S4L61AATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG16N10S461AATMA1 メーカー: Infineon および IPG16N10S4L61AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon

IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon

IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $1.12
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench Logic-Level, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant —
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — Dual N-Channel (Array)
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 16 A
Power Dissipation (PD) — 29 W
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
動作温度 — -55C to +175C (TJ)
湿気感度レベル(MSL) — MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Peak Reflow Temperature — 260 C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
FET Feature — Logic Level Gate

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼