IPG16N10S461AATMA1 vs IPG16N10S4L61AATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG16N10S461AATMA1 por Infineon e IPG16N10S4L61AATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $1,12
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench Logic-Level, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant —
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — Dual N-Channel (Array)
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 16 A
Power Dissipation (PD) — 29 W
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Temperatura de operação — -55C to +175C (TJ)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) — MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Peak Reflow Temperature — 260 C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
FET Feature — Logic Level Gate

Fichas técnicas e recursos

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