IPG16N10S461AATMA1 vs IPG16N10S4L61AATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPG16N10S461AATMA1 제조: Infineon 및 IPG16N10S4L61AATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $1.12
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench Logic-Level, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS 상태 Compliant —
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — Dual N-Channel (Array)
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 16 A
Power Dissipation (PD) — 29 W
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
동작 온도 — -55C to +175C (TJ)
습도 민감도 레벨 (MSL) — MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Peak Reflow Temperature — 260 C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
FET Feature — Logic Level Gate

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