IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG16N10S4L61AATMA1 von Infineon und IPG16N10S461AATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,12 $0,82
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +175C (TJ) —
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 16 A
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Gehäuse — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Terminal Count — 8
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status — Compliant
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

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