IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG16N10S4L61AATMA1 por Infineon e IPG16N10S461AATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,12 $0,82
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +175C (TJ) —
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 16 A
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Encapsulamento — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Terminal Count — 8
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS — Compliant
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

Fichas técnicas e recursos

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