IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG16N10S4L61AATMA1 par Infineon et IPG16N10S461AATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,12 $0,82
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C (TJ) —
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 16 A
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Boîtier — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Terminal Count — 8
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS — Compliant
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

Fiches techniques et ressources

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