IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG16N10S4L61AATMA1 メーカー: Infineon および IPG16N10S461AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon

IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon

IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ 生産中
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IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.12 $0.82
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
パッケージ / ケース PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +175C (TJ) —
湿気感度レベル(MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 16 A
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C
パッケージ — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Terminal Count — 8
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス — Compliant
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

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