IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPG16N10S4L61AATMA1 제조: Infineon 및 IPG16N10S461AATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPG16N10S4L61AATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.12 | $0.82 |
| FET Type | Dual N-Channel (Array) | — |
| Technology | Logic-Level, Enhancement Mode | OptiMOS™ trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 16 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 29 W | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +175C (TJ) | — |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 16 A |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Terminal Count | — | 8 |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |