IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG16N10S4L61AATMA1 por Infineon y IPG16N10S461AATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,12 $0,82
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ) —
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 16 A
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Encapsulado — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Terminal Count — 8
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS — Compliant
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización