IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL65R230C7AUMA1 von Infineon und IPD65R225C7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL65R230C7AUMA1 IPD65R225C7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,02 $1,34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Super-junction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes (per Infineon product page) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Anzahl der Pins — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Datenblätter & Ressourcen

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