IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL65R230C7AUMA1 par Infineon et IPD65R225C7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL65R230C7AUMA1 IPD65R225C7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $1,34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Super-junction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes (per Infineon product page) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Nombre de broches — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

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