IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPL65R230C7AUMA1 por Infineon y IPD65R225C7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPL65R230C7AUMA1 IPD65R225C7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $1,34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Super-junction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes (per Infineon product page) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Número de pines — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización