IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPL65R230C7AUMA1 メーカー: Infineon および IPD65R225C7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 ✓ 生産中
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IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPL65R230C7AUMA1 IPD65R225C7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.02 $1.34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Super-junction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
パッケージ PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-TO252-3 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes (per Infineon product page) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
動作温度範囲 — -55°C to +150°C
ピン数 — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

データシート&リソース

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